电源模块模拟电路常用的小知识

模拟电路是指用来对模拟信号进行传输、变换、处理、放大、测量和显示等工作的电路，模拟信号是指连续变化的电信号，模拟电路是电子电路的基础知识，它主要包括放大电路、信号运算和处理电路、振荡电路、调制和解调电路及电源模块等。

模拟电路功能：

1、放大电路：用于信号的电压、电流或功率放大；

2、滤波电路：用于信号的提取、变换或抗干扰；

3、运算电路：完成信号的比例、加、减、乘、除、积分、微分、对数、指数等运算；

4、信号转换电路：用于将电流信号转换成电压信号或将电压信号转换为电流信号、将直流信号转换为交流信号或将交流信号转换为直流信号、将直流电压转换成与之成正比的频率；

5、信号发生电路：用于产生正弦波、矩形波、三角波、锯齿波；

6、电源模块：将220V、50Hz交流电转换成不同输出电压和电流的直流电，作为各种电子线路的供电电源。

模拟电路常用小知识：

（1）同相放大电路加在两输入端的电压大小接近相等；

（2）反相放大电路的重要特征是虚地的概念；

（3）RC振荡电路适用于低频，LC振荡电路适用于高频电路；

（4）高频电路中，必须考虑PN结电容的影响（正向偏置为扩散电容，反相偏置为势垒电容）；

（5）硅管正向导通压降0.7V，锗管为0.2V；

（6）PN结具有一种很好的数学模型：开关模型，二极管诞生了，再来一个PN结，三极管诞生了；

（7）开关稳压电源模块有降压和升压两种，降压中有续流二极管，LC滤波电路。升压中有电感，稳压二极管，电容。

（8）点接触型二极管适用于整流，面接触型二极管适用于高频电路；

（9）齐纳二极管（稳压管）工作于反向击穿状态；

（10）肖特基二极管（Schottky，SBD）适用于高频开关电路，正向压降和反相压降都很低（0.2V）但是反向击穿电压较低，漏电流也较大；

（11）光电二极管（将光信号转为电信号）；

（12）二极管的主要参数：最大整流电流，最大反相电压，漏电流；

（13）三极管有发射极（浓度最高），集电极，基极（浓度最低）。箭头写在发射极上面；

（14）发射极正偏，集电极反偏是让BJT工作在放大工作状态下的前提条件。

三种连接方式：共基极，共发射极（最多，因为电流，电压，功率均可以放大），共集电极。

判别三种组态的方法：共发射极，由基极输入，集电极输出。共集电极，由基极输入，发射极输出。共基极，由发射极输入，集电极输出；

（15）三极管主要参数：电流放大系数β，极间反向电流，（集电极最大允许电流，集电极最大允许耗散功率，反向击穿电压=3个重要极限参数决定BJT工作在安全区域）；

（16）三极管数学模型：单管电流放大；

（17）射极偏置电路：用于消除温度对静态工作点的影响（双电源更好）；

（18）开关稳压电源模块与线性电源：线性电源，效率低、发热强、但是输出很稳定。开关电源模块，效率高、发热一般、但输出纹波大，需要平波；

（19）三种BJT放大电路比较：共射级放大电路，电流、电压均可以放大。共集电极放大电路：只放大电流，跟随电压，输入R大，输出R小，用作输入级，输出级。共基极放大电路：只放大电压，跟随电流，高频特性好；

（20）去耦电容：输出信号电容接地，滤掉信号的高频杂波。旁路电容：输入信号电容接地，滤掉信号的高频杂波。交流信号针对这两种电容处理为短路；

（21）BJT是一种电流控制电流型器件（双极型），FET是一中电压控制电流器件（单极型）；

（22）主流是从发射极到集电极的IC，偏流就是从发射极到基极的Ib。相对与主电路而言，为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路；

（23）场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b，发射极e，集电极c。其中P型衬底一般与栅极g相连21、增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用（开启电压Vt），耗尽型FET则不需要栅源电压，在正的Vds作用下，就有较大的漏极电流流向源极（如果加负的Vgs，那么可能出现夹断，此时的电压成为夹断电压Vp重要特性：可以在正负的栅源电压下工作）；

（24）N沟道的MOS管需要正的Vds（相当于三极管加在集电极的Vcc）和正的Vt（相当于三极管基极和发射极的Vbe），而P沟道的MOS管需要负的Vds和负的Vt；

（25）MOSFET主要参数：开启电压Vt，夹断电压Vp。极限参数：最大漏极电流Idm，最大耗散功率Pdm；

（26）MOSFET三种放大电路：共源极放大电路（共射极），共漏极放大电路（共集电极），共栅极放大电路（共基极）；

（27）差分式放大电路：差模信号：两输入信号之差。共模信号：两输入信号之和除以2。由此：用差模与共模的定义表示两输入信号可得到一个重要的数学模型：任意一个输入信号=共模信号±差模信号/2；

（28）差分式放大电路只放大差模信号，抑制共模信号。利用这个特性，可以很好的抑制温度等外界因素的变化对电路性能的影响。具体的性能指标：共模抑制比Kcmr；

（29）集成运放的温度漂移是漂移的主要来源；

（30）集成运放的参数：最大输出电流，最大输出电压；

（31）VCC是电路的供电电压，VDD是芯片的工作电压；

（32）放大电路的干扰：

1、将电源远离放大电路

2、输入级屏蔽

3、直流电源电压波动（采用稳压电源模块，输入和输出加上滤波电容）；

（33）电压比较器，时滞比较器，集成电压比较器，方波产生电路，锯齿波产生电路；

（34）负反馈放大电路的四种组态：电压串联负反馈（稳定输出电压），电压并联负反馈，电流串联负反馈（稳定输出电流），电流并联负反馈；

（35）电压、电流反馈判定方法：输出短路法，设RL = 0，如果反馈信号不存在，为电压反馈，反之，则为电流反馈；

（36）串联、并联反馈的判定方法：反馈信号与输入信号的求和方式，若为电压形式，则为串联反馈，若为电流形式，则为并联反馈；

（37）功率放大电路的类别：甲类（全部）、甲乙类（50%以上）、乙类（50%）（按照输入信号在整个周期流经器件大于0的百分比）；

（38）直流稳压电源模块：电源变压器，整流电路，滤波电路，稳压电路；

（39）滤波电路：利用电抗元件的储能作用，可以起到很好的滤波作用。电感（串联，大功率）和电容（并联，小功率）均可以起到平波的作用。